『轉載』大為創芯：DRAM Q3有望反彈，但NAND Flash反彈有難度

       特別聲明：本文授權轉載自微信公眾號“電子創新網”。

       當一個市場處于下行趨勢時，需要有新的刺激，才能改變市場的走勢，在經歷近一年大幅下跌之后 ，有哪些行業將給存儲產業注入新的活力，改變其走勢呢？在近日的2023CFMS閃存峰會上，深圳市大為創新科技股份有限公司(股票代碼：002213，下稱“大為股份”)旗下存儲業務子公司深圳市大為創芯微電子科技有限公司（下稱“大為創芯”）首席技術官陳宗廷在接受電子創新網等媒體采訪時指出，他認為人工智能、新能源汽車等將帶動存儲市場反彈。

       “人工智能應用主要分為四個流程，感知、運算、學習和生成。運算跟學習會用到非常多的存儲，尤其是在學習的過程中，因為要把已知的資料跟算法分別歸類去做儲存，所以對存儲需求很大，這也是大為創芯積極在布局的市場，亦是大為創芯的優勢領域，如人臉辨識、智能家居，都是貼近消費者的產品，這個領域是大為創芯有成熟產品的領域。”他解釋說，“存儲市場，2022年其實就已經很低迷，整個的供給是大于需求的。但是如果反過來看，DRAM各廠家已經確定減產了，所以在23年的三季度DRAM會到達一個供需平衡，然后年底有機會反彈。”

       不過他認為NAND Flash反彈有難度，因為NAND flash早就已經供給大于需求了，而且隨著新制程的推出，整個flash市場比較難達到一個供需平衡。不過，數字化推動數據中心興起，在數據中心領域，DRAM跟SSD 的需求量是非常龐大的。所以在國內數據中心帶動下，會不會讓整個國內市場觸底反彈？他認為2023年Q4也許有機會。

      此外，他認為在新能源車的帶動下，車用存儲器也會反彈。而隨著chatGPT走熱，也會用到大量的內存條和SSD，甚至延伸到消費者終端的嵌入式產品里。

      他表示針對這樣的趨勢，大為創芯為數據中心規劃了DDR5內存條，產品有望陸續在2023年第四季度和2024年第一季度量產。在新能源汽車領域，大為創芯會推出新能源汽車專用的DRAM(Low Power DDR/DDR)、eMMC等寬溫級產品，布局汽車輔助駕駛360環視領域，目前已經有客戶群。

      從技術發展趨勢來看，PC市場內存條已經從DDR4向DDR5迭代，網通產品也普及了DDR4，而嵌入式存儲產品今年有望從DDR3升級到DDR4。一方面原因是DDR3減產導致供給不足，消費者對存儲性能要求提升；另一方面，去年疫情影響了消費信心，運營商支出縮減，導致DDR4推廣進程被推遲。

      “大為創芯會將DDR3和DDR4作為今年推廣重點。”陳宗廷表示，“今年公司嵌入式存儲的重點還是以網通為應用中心，配合大為股份智能終端事業板塊的發展。”

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